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46DR83200A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 46DR83200A
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内容描述: 32Mx8 , 16Mx16 DDR2 DRAM [32Mx8, 16Mx16 DDR2 DRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 48 页 / 1489 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS43 / 46DR83200A , IS43 / 46DR16160A
电气规格
绝对最大额定直流电压
符号
V
dd
V
DDQ
V
DDL
V
in
, V
OUT
T
英镑
参数
在VDD引脚相对于VSS的电压
相对到Vss引脚VDDQ电压
在VDDL引脚相对于VSS的电压
任何引脚相对于VSS的电压
储存温度
等级
- 1.0 V ~ 2.3 V
- 0.5 V ~ 2.3 V
- 0.5 V ~ 2.3 V
- 0.5 V ~ 2.3 V
-55到+150
单位
V
V
V
V
°C
笔记
1,3
1,3
1,3
1,4
1, 2
注意事项:
1.强调高于“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
和设备在这些或以上的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作本规范是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性
2.储存温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。为测量条件,请参阅
JESD51-2标准。
3. VDD和VDDQ必须在彼此的时候都为300mV ;和VREF必须是不大于0.6× VDDQ更大。当VDD和VDDQ和
VDDL是小于500 mV的电压Vref可以是等于或小于300毫伏。
4.电压上的任何输入或I / O可能无法在VDDQ电压超过。
AC & DC推荐工作条件
建议的直流工作条件( SSTL - 1.8 )
符号
VDD
VDDL
VDDQ
VREF
VTT
参数
分钟。
电源电压
电源电压为DLL
电源电压输出
输入参考电压
终止电压
1.7
1.7
1.7
0.49 X VDDQ
VREF - 0.04
等级
典型值。
1.8
1.8
1.8
0.50 X VDDQ
VREF
马克斯。
1.9
1.9
1.9
0.51 X VDDQ
VREF + 0.04
V
V
V
V
V
1
5
1, 5
2. 3
4
单位备注
注意事项:
1.有没有具体的器件VDD电源电压要求SSTL_18合规性。然而在所有情况下的VDDQ必须小于
或等于VDD。
2. VREF的值可以由用户进行选择,以提供最佳的噪声容限的系统。通常VREF值预计是
约0.5× VDDQ传送设备的和VREF ,预计在VDDQ的跟踪变化。
3.峰值对峰值VREF交流噪声不得超过+/- 2 % VREF ( DC) 。
4. VTT的发送装置的必须跟踪接收装置的VREF。
5. VDDQ轨道与VDD , VDDL跟踪与VDD 。 AC参数测量VDD , VDDQ和VDDL绑在一起
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com
Rev. D的
08/16/2012
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