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46DR83200A 参数 Datasheet PDF下载

46DR83200A图片预览
型号: 46DR83200A
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内容描述: 32Mx8 , 16Mx16 DDR2 DRAM [32Mx8, 16Mx16 DDR2 DRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 48 页 / 1489 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS43 / 46DR83200A , IS43 / 46DR16160A
工作温度条件
符号
豪饮者
参数
商业级温度
工业级温度,
汽车温度( A1 )
汽车温度( A2 )
等级
(1,2,3)
T
c
= 0至+85
T
c
= -40〜 95
T
a
= -40至+85
T
c
= -40到+105
T
a
= -40到+105
注意事项:
1. T
c
=在封装的中心工作温度
2. T
a
=立即工作环境温度封装中心的上方。
3.这两种规格的温度必须满足。
单位
o
o
o
o
o
C
C
C
C
C
热阻
60球BGA
84球BGA
基板
4-layer
4-layer
的Theta -JA
(气流= 0米/ S)
39.71
34.66
的Theta -JA
(气流= 1米/秒)
34.21
30.07
的Theta -JA
(风量= 2米/秒)
32.17
28.66
西塔-JC
3.27
6.68
单位
C / W
C / W
ODT DC电气特性
参数/条件
R
tt
对于EMR有效阻抗值(1)[ A 6, A 2 ] = 0.1 ; 75
Ω
R
tt
对于EMR有效阻抗值(1)[ A 6, A 2 ] = 1,1 ; 50
Ω
VM的偏差相对于VDDQ / 2
注意事项:
对于R 1,测试条件
tt
测量
测量德网络nition的R
tt
( EFF ) :应用VIH ( AC)和VIL ( AC ),分别测试引脚,然后测量电流I ( VIH ( AC) )和I( VIL
分别(交流))。在SSTL_18定义的VIH (交流) , VIL (交流)和VDDQ的值
符号
R
tt
1(eff)
R
tt
3(eff)
'vm
60
120
40
-6
75
150
50
最大
90
180
60
+6
单位备注
Ω
Ω
Ω
%
1
1
1
1
R
tt
对于EMR有效阻抗值(1)[ A 6, A 2 ] = 1,0 ; 150
Ω
R
tt
2(eff)
R
tt
( EFF )
V
ih
( AC ) - V
il
(AC)的
I( V
ih
(交流) ) - I (Ⅴ
il
(交流) )
测量定义为VM :测量电压( VM)在测试引脚(中点)无负载。
'vm
= [ (2× VM / VDDQ ) - 1] ×100 %
8
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Rev. D的
08/16/2012