IS43/46DR83200A
IS43/46DR16160A
32Mx8 ， 16Mx16 DDR2 DRAM
特点
•
V
dd
= 1.8V ±0.1V, V
DDQ
= 1.8V ±0.1V
•
JEDEC标准的1.8V的I / O（ SSTL_18兼容）
•
双倍数据速率接口：两个数据传输
在每个时钟周期
•
差分数据选通（ DQS ，
DQS ）
•
4位预取架构
•
片上DLL对齐DQ和DQS转换
与CK
•
4个内部银行的并发操作
•
可编程CAS延迟（CL）的3 ， 4，5，和6中
支持
•
中科院发布和可编程延迟添加剂
（ AL）的0，1 ，2，3 ，4和5的支持
•
写延时=读延时 - 1 TCK
•
可编程的突发长度： 4或8
•
可调节的数据输出驱动强度，充分，
强度降低的选项
•
片上端接（ ODT ）
2012年8月
描述
ISSI公司的256Mb DDR2 SDRAM采用双数据速率
体系结构来实现高速操作。该
双倍数据速率的体系结构本质上是具有4n预取
体系结构，以用于传输2的界面
每个时钟周期的数据字在I / O的球。
地址表
参数
CON组fi guration
刷新计数
行寻址
COLUMN
地址
银行地址
预充电
地址
32M ×8
8M ×8× 4
银行
8K/64ms
1K （ A0 -A9 ）
BA0 ， BA1
A10
16M ×16
4M ×16× 4
银行
8K/64ms
512 (A0-A8)
BA0 ， BA1
A10
8K （ A0 - A12 ） 8K （ A0 - A12 ）
选项
•
配置（ S） ：
32Mx8 （ 8Mx8x4银行） IS43 / 46DR83200A
16Mx16 （ 4Mx16x4银行） IS43 / 46DR16160A
•
包装：
X8 ： 60球TW- BGA （采用8mm x 10.5毫米）
X16 ： 84球TW- BGA （采用8mm x 12.5毫米）
时间 - 周期时间
为2.5ns @ CL = 6 DDR2-800E
3.0ns @ CL = 5 DDR2-667D
3.75ns @ CL = 4 DDR2-533C
5.0ns @ CL = 3 DDR2-400B
•
温度范围：
商用（0°C
≤
Tc
≤
85°C)
工业（ -40°C
≤
Tc
≤
95°C; -40°C
≤
T
a
≤
85°C)
汽车， A1 （ -40°C
≤
Tc
≤
95°C; -40°C
≤
T
a
≤
85°C)
汽车， A2 （ -40°C
≤
TC ;牛逼
a
≤
105°C)
关键时序参数
速度等级
tRCD的
激进党
TRC
tRAS的
TCK @ CL = 3
TCK @ CL = 4
TCK @ CL = 5
TCK @ CL = 6
-25E
15
15
60
45
5
3.75
3
2.5
-3D
15
15
60
45
5
3.75
3
—
-37C
15
15
60
45
5
3.75
—
—
-5B
15
15
55
40
5
5
—
—
TC =情况下的温度，T
a
=环境温度
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Rev. D的
08/16/2012
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
