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IS61LV25616AL-12KI 参数 Datasheet PDF下载

IS61LV25616AL-12KI图片预览
型号: IS61LV25616AL-12KI
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内容描述: 256K ×16高速异步静态CMOS与3.3V供电的RAM [256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 68 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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®
IS61LV25616AL  
ISSI  
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS (LL)  
1
Symbol  
VDR  
Parameter  
Test Condition  
Options  
Min.  
Typ.(1)  
Max.  
Unit  
V
VDD for Data Retention  
Data Retention Current  
See Data Retention Waveform  
VDD = 2.0V, CE VDD – 0.2V  
2.0  
3.6  
IDR  
Com.  
Ind.  
5
10  
15  
mA  
2
tSDR  
tRDR  
Data Retention Setup Time See Data Retention Waveform  
0
ns  
ns  
Recovery Time  
See Data Retention Waveform  
tRC  
O
Note 1: Typical values are measured at VDD = 3.0V, T  
A
= 25 C and not 100% tested.  
3
4
DATA RETENTION WAVEFORM (CE Controlled)  
5
t
SDR  
Data Retention Mode  
t
RDR  
VDD  
1.65V  
6
1.4V  
VDR  
CE VDD - 0.2V  
7
CE  
GND  
8
9
10  
11  
12  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
Rev. A  
11  
02/21/03