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IC42S16100E-6TL 参数 Datasheet PDF下载

IC42S16100E-6TL图片预览
型号: IC42S16100E-6TL
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内容描述: [Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-50]
分类和应用: 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 81 页 / 1082 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS42S16100E, IC42S16100E  
Write Cycle / Byte Operation  
T0  
T1  
T2  
T3  
T4  
T5  
T6  
T7  
T8  
T9  
T10  
CLK  
tCHI  
tCKS  
t
CL  
tCK  
CKE  
CS  
t
t
CKA  
CH  
t
CS  
t
CS  
tCH  
tCH  
tCH  
RAS  
t
CS  
CS  
CAS  
WE  
t
t
AS  
AS  
tAH  
(1)  
COLUMN m  
AUTO PRE  
ROW  
ROW  
ROW  
A0-A9  
t
BANK 0 AND 1  
BANK 0 OR 1  
t
t
AH  
AH  
ROW  
A10  
A11  
NO PRE  
t
AS  
BANK 1  
BANK 1  
BANK 0  
BANK 1  
BANK 0  
BANK 1  
BANK 0  
BANK 0  
tCH  
tCS  
UDQM  
tCS  
t
CH  
LDQM  
DQ8-15  
DQ0-7  
t
t
DS  
tDH  
t
DH  
t
DS  
DH  
tDS  
D
IN  
m
m
D
IN m+1  
D
IN m+3  
t
DS  
t
DH  
t
DS  
tDH  
D
IN  
DIN m+3  
t
RCD  
tDPL  
t
RCD  
RAS  
RC  
t
RAS  
RC  
t
RP  
t
t
t
<
PRE  
PALL  
>
<
ACT>  
<
WRIT  
WRITA  
>
<
MASKL  
>
<ACT>  
<MASK  
>
<ENB>  
<
>
<
>
Undefined  
Don't Care  
CAS latency = 2, burst length = 4  
Note 1: A8,A9 = Don’t Care.  
58  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com  
Rev. C  
01/22/08  
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