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SI4410DY 参数 Datasheet PDF下载

SI4410DY图片预览
型号: SI4410DY
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 96 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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Si4410DY
R
ð S(上)
,漏到-S环境允许的导通电阻
(Ω)
R
ð S(上)
,D雨来-S环境允许Ø n个电阻
(Ω)
0.20
0.03
0.16
0.02
0.12
I
D
= 10A
0.01
0.08
V
的s
= 10V
V
的s
= 4.5V
0.04
0.00
0
10
20
30
40
50
A
0.00
3
4
5
6
7
8
9
10
A
I
D
,D雨ç urren T(A )
V
的s
,G吃,用于─嗖RC Ë V oltage ( V)
图12 。
典型导通电阻比。漏
当前
图13 。
典型导通电阻比。门
电压
3.0
1000
E
AS
,单脉冲雪崩能量(兆焦耳)
顶部
800
V
的s (次)
,V阿里安CE ( V)
底部
ID
4.5A
8.0A
10A
2.5
600
I
D
=2 50µA
2.0
400
200
1.5
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120
A
140 160
0
25
50
75
100
125
150
T
J
君ction牛逼EM peratu重( ° C)
起始物为
J
,结温(
°
C)
图14 。
典型的阈值电压Vs.Temperature
图15 。
最大雪崩能量
与漏电流
6
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