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SI4410DY 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SI4410DY
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 96 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD - 91853C
Si4410DY
HEXFET
®
功率MOSFET
l
l
l
l
l
N沟道MOSFET
低导通电阻
低栅电荷
表面贴装
逻辑电平驱动器
S
S
S
G
1
8
7
A
A
D
D
D
D
2
V
DSS
= 30V
3
6
4
5
R
DS ( ON)
= 0.0135Ω
描述
这N沟道HEXFET
®
功率MOSFET产生
采用国际整流器公司先进的HEXFET功率
MOSFET技术。低导通电阻和低栅
充电固有的这种技术使该器件非常适用
对于低电压或电池驱动的功率转换
应用
提供了增强的SO- 8封装,引线框架铜
热特性,允许的功率耗散
大于800mW的典型电路板安装的应用程序。
T O服务P V IE W¯¯
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
dv / dt的
E
AS
V
GS
T
J,
T
英镑
漏源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲

功耗
ƒ
功耗
ƒ
线性降额因子
峰值二极管恢复的dv / dt
…
单脉冲雪崩能量?
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
30
±10
±8.0
±50
2.5
1.6
0.02
5.0
400
± 20
-55到+ 150
单位
V
A
W
W / ℃,
V / ns的
mJ
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
ƒ
马克斯。
50
单位
° C / W
www.irf.com
1
11/22/99