欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

SI4410DY 参数 Datasheet PDF下载

SI4410DY图片预览
型号: SI4410DY
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 96 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
 浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第8页  
Si4410DY
10.0
100
8.0
80
I
D
,漏电流( A)
P奥尔( W)
6.0
60
4.0
40
2.0
20
0.0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
A
0.1
1
10
100
T
C
,外壳温度
( ° C)
牛逼IM E(秒)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
典型功耗比。时间
100
热响应(Z
thJA
)
D = 0.50
10
0.20
0.10
0.05
1
0.02
0.01
P
DM
t
1
0.1
单脉冲
(热反应)
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t
2
0.01
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
典型的有效瞬态热阻抗,结到环境
www.irf.com
5