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SI4410DY 参数 Datasheet PDF下载

SI4410DY图片预览
型号: SI4410DY
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 96 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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Si4410DY
1000
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
1000
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
100
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
4.5V
4.5V
10
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
10
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.0
T
J
= -5 5 ° C
T
J
= 2 5 ° C
T
J
= 1 5 0 ° C
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
10A
I
D
= 11A
I
D
,D雨来-S Ø ü RCE Ç urre N t个( A)
1.5
100
1.0
0.5
10
4
8
V
DS
= 25V
2 0 μ S·P ü L南东西TH ID
12
16
A
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
的s
,G一德到嗖RCE沃尔特GE ( V)
T
J
,结温(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3