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IRL7486MTRPBF 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IRL7486MTRPBF
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内容描述: [Power Field-Effect Transistor, 209A I(D), 40V, 0.00125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET]
分类和应用: 开关脉冲晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 505 K
品牌: INFINEON [ Infineon ]
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IRL7486MTRPbF  
1000  
100  
10  
1000  
100  
10  
100µsec  
1msec  
T
= 150°C  
J
OPERATION  
IN THIS AREA  
LIMITED BY R (on)  
DS  
T
= 25°C  
= 0V  
J
10msec  
DC  
1
1
Tc = 25°C  
Tj = 150°C  
Single Pulse  
V
GS  
0.1  
0.1  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
V
, Source-to-Drain Voltage (V)  
V
DS  
, Drain-to-Source Voltage (V)  
SD  
Fig 10. Maximum Safe Operating Area  
Fig 9. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage  
50  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
Id = 1.0mA  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
-60 -40 -20  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
, Temperature ( °C )  
0
5
10 15 20 25 30 35 40  
T
J
V
Drain-to-Source Voltage (V)  
DS,  
Fig 11. Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Fig 12. Typical Coss Stored Energy  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
Vgs = 3.5V  
Vgs = 4.0V  
Vgs = 4.5V  
Vgs = 5.5V  
Vgs = 6.0V  
Vgs = 8.0V  
Vgs = 10V  
0.5  
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200  
, Drain Current (A)  
I
D
Fig 13. Typical On-Resistance vs. Drain Current  
© 2015 International Rectifier Submit Datasheet Feedback  
5
www.irf.com  
May 14, 2015  
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