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SPP20N60C3XK 参数 Datasheet PDF下载

SPP20N60C3XK图片预览
型号: SPP20N60C3XK
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内容描述: [Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
文件页数/大小: 14 页 / 314 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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Final data
9 Typ. drain-source on resistance
R
DS(on)
=f(I
D
)
parameter:
T
j
=150°C,
V
GS
1.5
SPP20N60C3, SPB20N60C3
SPI20N60C3, SPA20N60C3
10 Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
=
f
(T
j
)
parameter :
I
D
= 13.1 A,
V
GS
= 10 V
1.1
SPP20N60C3
1.3
0.9
R
DS(on)
R
DS(on)
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0
5
10
15
20
25
30
40
A
I
D
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
98%
0.2
0.1
0
-60
-20
20
60
100
°C
4V
4.5V
5V
5.5V
6V
6.5V
20V
typ
180
T
j
11 Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 10 µs
80
12 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 20.7 A pulsed
16
SPP20N60C3
A
25°C
V
60
12
V
GS
I
D
50
10
0,2
V
DS max
0,8
V
DS max
40
150°C
8
30
6
20
4
10
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
9
V
V
GS
0
0
20
40
60
80
100
nC
140
Q
Gate
Page 7
2003-10-08