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    SPP20N60C3XK 参数 Datasheet PDF下载

    SPP20N60C3XK图片预览
    型号： SPP20N60C3XK
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
    文件页数/大小： 14 页 / 314 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号SPP20N60C3XK的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SPP20N60C3XK的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SPP20N60C3XK的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SPP20N60C3XK的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SPP20N60C3XK的Datasheet PDF文件第9页浏览型号SPP20N60C3XK的Datasheet PDF文件第10页浏览型号SPP20N60C3XK的Datasheet PDF文件第11页浏览型号SPP20N60C3XK的Datasheet PDF文件第12页  
    Final data
    13 Forward characteristics of body diode
    I
    F
    =
    f
    (V
    SD
    )
    parameter:
    T
    j , t
    p
    = 10 µs
    10
    2
    SPP20N60C3
    SPP20N60C3, SPB20N60C3
    SPI20N60C3, SPA20N60C3
    14 Typ. switching time
    t
    =
    f
    (I
    D
    ), inductive load,
    T
    j
    =125°C
    par.:
    V
    DS
    =380V,
    V
    GS
    =0/+13V,
    R
    G
    =3.6Ω
    10
    2
    td(off)
    A
    ns
    10
    1
    I
    F
    t
    10
    1
    tf
    td(on)
    10
    0
    T
    j
    = 25 °C typ
    T
    j
    = 150 °C typ
    T
    j
    = 25 °C (98%)
    T
    j
    = 150 °C (98%)
    10
    -1
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2
    2.4
    V
    3
    10
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    tr
    A
    I
    D
    24
    V
    SD
    15 Typ. switching time
    t
    =
    f
    (R
    G
    ), inductive load,
    T
    j
    =125°C
    par.:
    V
    DS
    =380V,
    V
    GS
    =0/+13V,
    I
    D
    =20.7 A
    10
    3
    16 Typ. drain current slope
    di/dt
    = f(R
    G
    ), inductive load,
    T
    j
    = 125°C
    par.:
    V
    DS
    =380V,
    V
    GS
    =0/+13V,
    I
    D
    =20.7A
    5000
    ns
    td(off)
    A/µs
    4000
    di/dt
    td(on)
    10
    2
    3500
    3000
    di/dt(on)
    t
    2500
    2000
    10
    1
    1500
    1000
    tr
    tf
    10
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    40
    Ω
    R
    G
    di/dt(off)
    500
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    40
    Ω
    R
    G
    Page 8
    2003-10-08

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