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    SPP20N60C3XK 参数 Datasheet PDF下载

    SPP20N60C3XK图片预览
    型号： SPP20N60C3XK
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
    文件页数/大小： 14 页 / 314 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
     浏览型号SPP20N60C3XK的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SPP20N60C3XK的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SPP20N60C3XK的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SPP20N60C3XK的Datasheet PDF文件第9页浏览型号SPP20N60C3XK的Datasheet PDF文件第11页浏览型号SPP20N60C3XK的Datasheet PDF文件第12页浏览型号SPP20N60C3XK的Datasheet PDF文件第13页浏览型号SPP20N60C3XK的Datasheet PDF文件第14页  
    SPP20N60C3, SPB20N60C3  
    SPI20N60C3, SPA20N60C3  
    Final data  
    21 Avalanche energy  
    = f (T )  
    22 Drain-source breakdown voltage  
    = f (T )  
    E
    V
    (BR)DSS  
    AS  
    j
    j
    par.: I = 10 A, V = 50 V  
    D
    DD  
    SPP20N60C3  
    750  
    mJ  
    720  
    V
    600  
    550  
    500  
    450  
    400  
    350  
    300  
    250  
    200  
    150  
    100  
    50  
    680  
    660  
    640  
    620  
    600  
    580  
    560  
    540  
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    100  
    120  
    160  
    -60  
    -20  
    20  
    60  
    100  
    180  
    °C  
    °C  
    T
    T
    j
    j
    23 Avalanche power losses  
    = f (f )  
    24 Typ. capacitances  
    C = f (V  
    P
    )
    AR  
    DS  
    parameter: E =1mJ  
    parameter: V =0V, f=1 MHz  
    AR  
    GS  
    10 5  
    500  
    pF  
    W
    10 4  
    Ciss  
    10 3  
    300  
    200  
    100  
    Coss  
    10 2  
    Crss  
    10 1  
    10 0  
    0
    10 4  
    10 5  
    10 6  
    0
    100  
    200  
    300  
    400  
    600  
    DS  
    Hz  
    V
    V
    f
    Page 10  
    2003-10-08  

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