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BFP640 参数 Datasheet PDF下载

BFP640图片预览
型号: BFP640
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内容描述: NPN硅锗RF晶体管 [NPN Silicon Germanium RF Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 274 K
品牌: INFINEON [ Infineon ]
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BFP640  
Power gain G , G = ƒ (V  
)
Noise figure F = ƒ(I )  
C
ma  
ms  
CE  
I = 30mA  
V
= 3V, Z = Z  
C
CE S Sopt  
f = parameter  
30  
2.4  
0.9GHz  
1.8GHz  
2.2  
2
dB  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1
2.4GHz  
3GHz  
20  
15  
10  
5
4GHz  
5GHz  
6GHz  
f = 6GHz  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
f = 5GHz  
f = 4GHz  
f = 3GHz  
f = 2.4GHz  
f = 1.8GHz  
f = 0.9GHz  
0
V
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
5
0
10  
20  
30  
40  
50  
V
CE  
Ic [mA]  
Noise figure F = ƒ(I )  
Noise figure F = ƒ(f)  
C
V
= 3V, f = 1.8 GHz  
V
= 3V, Z = Z  
CE  
CE  
S
Sopt  
2
2
1.8  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1
1.6  
1.4  
1.2  
1
ZS = 50Ω  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
IC  
= 30mA  
Z
S = ZSopt  
IC = 5.0mA  
0
10  
20  
30  
40  
50  
0
1
2
3
4
5
6
7
Ic [mA]  
f [GHz]  
Apr-21-2004  
7
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