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BFP640 参数 Datasheet PDF下载

BFP640图片预览
型号: BFP640
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内容描述: NPN硅锗RF晶体管 [NPN Silicon Germanium RF Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 274 K
品牌: INFINEON [ Infineon ]
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BFP640  
Third order Intercept Point IP =ƒ(I )  
Transition frequency f = ƒ(I )  
3
C
T
C
(Output, Z =Z =50)  
f = 1GHz  
S
L
V
= parameter, f = 1.8 GHz  
V
= parameter  
CE  
CE  
30  
45  
dBm  
GHz  
24  
21  
18  
15  
12  
9
3V  
2V  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
4V  
3V  
2V  
6
1V  
3
0.5V  
0
0
mA  
mA  
0
10  
20  
30  
40  
60  
0
10  
20  
30  
40  
60  
I
I
C
C
Power gain G , G = ƒ(I )  
Power Gain G , G = ƒ(f),  
ma ms  
ma  
ms  
C
V
= 3V  
|S |² = f (f)  
CE  
21  
f = parameter  
V
= 3V, I = 30mA  
CE  
C
30  
55  
dB  
0.9GHz  
1.8GHz  
dB  
26  
24  
22  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
2.4GHz  
3GHz  
Gms  
4GHz  
|S21|²  
Gma  
4
5GHz  
6GHz  
mA  
GHz  
0
10  
20  
30  
40  
60  
0
1
2
3
6
I
f
C
Apr-21-2004  
6
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