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    2ED2110S06M 参数 Datasheet PDF下载

    2ED2110S06M图片预览
    型号： 2ED2110S06M
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    内容描述： [650 V high speed, high current high-side and low-side gate driver with typical 2.5 A source and sink currents in DSO-16 package for driving power MOSFETs and IGBTs.]
    分类和应用： 双极性晶体管
    文件页数/大小： 31 页 / 1407 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
     浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第23页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第24页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第25页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第26页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第27页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第28页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第29页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第31页  
    2ED2110S06M  
    650 V high-side and low-side driver with integrated bootstrap diode  
    12  
    Revision history  
    Document  
    version  
    2.2  
    2.3  
    2.4  
    Date of release  
    Description of changes  
    Aug 23, 2021  
    Oct 29, 2021  
    Jul 21, 2022  
    Jan 31, 2023  
    Final Datasheet  
    Corrected ESD and IC latch-up test stardard on page 20.  
    Updated boostrap specs on page 7.  
    Inserted “Parameters Trend Charts” paragraph  
    2.5  
    Datasheet  
    www.infineon.com/soi  
    30 of 31  
    V 2.5  
    2023-01-31  

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