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ICE4N65D 参数 Datasheet PDF下载

ICE4N65D图片预览
型号: ICE4N65D
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内容描述: 增强型MOSFET [Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 718 K
品牌: ICEMOS [ Icemos Technology ]
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Preliminary Data Sheet  
ICE4N65D  
Capacitance  
Drain-to-Source Breakdown Voltage vs. Junction Temperature  
100000  
10000  
1000  
100  
1.2  
1.1  
ID = 1mA  
Ciss  
1.0  
0.9  
0.8  
Coss  
10  
Crss  
1
0
200  
400  
600  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
TJ - Junction Temperature (˚C)  
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)  
Transient Thermal Response, Junction-to-Case  
Maximum Rated Forward Biased Safe Operating Area  
100  
1.00  
Single Pulse,  
Tc = 25oC,  
Tj=150oC,  
VGS = 10V  
0.5  
0.2  
10  
0.1  
0.10  
0.01  
0.00  
10us  
0.05  
0.02  
100us  
1
1ms  
Single Pulse  
10ms  
RDS(on) Limit  
Package Limit  
Thermal Limit  
0.1  
DC  
0.01  
1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 1.0E+00  
1
10  
100  
1000  
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)  
t - Time (seconds)  
SP-4N65D-000-0  
11/22/2013  
5