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ICE4N65D 参数 Datasheet PDF下载

ICE4N65D图片预览
型号: ICE4N65D
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内容描述: 增强型MOSFET [Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 718 K
品牌: ICEMOS [ Icemos Technology ]
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Preliminary Data Sheet  
ICE4N65D  
Transfer Characteristics  
Output Characteristics  
12  
10  
8
12  
10  
8
VGS=10 to 7V  
6V  
6
6
5V  
4
4
TJ = 150˚C  
2
2
25˚C  
0
0
0
2
4
6
8
10  
0
5
10  
15  
20  
12  
25  
VGS - Gate-to-Source (V)  
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)  
On Resistance vs Junction Temperature  
On Resistance vs Drain Current  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
VGS = 10V  
ID = 2A  
VGS = 10V  
0
2
4
6
8
10  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
ID - Drain current (A)  
TJ - Junction Temperature (˚C)  
Gate Charge  
Gate Threshold Voltage vs Junction Temperature  
10  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1.4  
1.3  
1.2  
1.1  
VDS  
=
480V  
ID = 4A  
ID = 250μA  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
0
5
10  
15  
20  
TJ - Junction Temperature (˚C)  
Qg - Total Gate Charge (nC)  
SP-4N65D-000-0  
11/22/2013  
4