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IBMB3N16644JCB-75AT 参数 Datasheet PDF下载

IBMB3N16644JCB-75AT图片预览
型号: IBMB3N16644JCB-75AT
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内容描述: [Synchronous DRAM Module, 16MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168]
分类和应用: 时钟动态存储器内存集成电路
文件页数/大小: 18 页 / 315 K
品牌: IBM [ IBM ]
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IBMB3N16644JCB  
IBMB3N16734JCB  
Preliminary  
16M x 64/72 One-Bank Unbuffered SDRAM Module  
Mode Register Set Cycle  
75A  
Symbol  
Parameter  
Units  
Min.  
15  
Max.  
t
Mode Register Set Cycle Time  
ns  
RSC  
Read Cycle  
-75A  
Symbol  
Parameter  
Units  
Notes  
Min.  
2.7  
0
Max.  
t
Data Out Hold Time  
ns  
ns  
OH  
t
Data Out to Low Impedance Time  
Data Out to High Impedance Time  
DQM Data Out Disable Latency  
LZ  
t
1
1
3
5.4  
ns  
HZ3  
t
2
CLK  
DQZ  
1. Referenced to the time at which the output achieves the open circuit condition, not to output voltage levels.  
Refresh Cycle  
-75A  
Symbol  
Parameter  
Units  
Notes  
1
Min.  
Max.  
64  
t
Refresh Period  
Self Refresh Exit Time  
ms  
ns  
REF  
t
10  
SREX  
1. 4096 auto refresh cycles.  
Write Cycle  
-75A  
Symbol  
Parameter  
Units  
Min.  
1.5  
0.8  
15  
Max.  
t
t
Data In Set-up Time  
Data In Hold Time  
ns  
ns  
DS  
DH  
t
Data input to Precharge  
DQM Write Mask Latency  
ns  
DPL  
t
0
CLK  
DQW  
75H2785.H42054  
11/00  
©IBM Corporation. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
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