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    IBM0612804GT3B-8N 参数 Datasheet PDF下载

    IBM0612804GT3B-8N图片预览
    型号： IBM0612804GT3B-8N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [DDR DRAM, 16MX8, 0.8ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
    文件页数/大小： 79 页 / 1362 K
    品牌： IBM [ IBM ]
     浏览型号IBM0612804GT3B-8N的Datasheet PDF文件第65页浏览型号IBM0612804GT3B-8N的Datasheet PDF文件第66页浏览型号IBM0612804GT3B-8N的Datasheet PDF文件第67页浏览型号IBM0612804GT3B-8N的Datasheet PDF文件第68页浏览型号IBM0612804GT3B-8N的Datasheet PDF文件第70页浏览型号IBM0612804GT3B-8N的Datasheet PDF文件第71页浏览型号IBM0612804GT3B-8N的Datasheet PDF文件第72页浏览型号IBM0612804GT3B-8N的Datasheet PDF文件第73页  
    Clock must be stable before exiting Self Refresh Mode  
    t
    *
    RP  
    t
    CK  
    200 cycles  
    t
    t
    CL  
    CH  
    CK  
    CK  
    t
    IH  
    t
    t
    IS  
    IS  
    t
    t
    IS  
    IS  
    CKE  
    t
    IH  
    t
    t
    XSRD, XSRN  
    NOP  
    AR  
    NOP  
    VALID  
    Command  
    t
    IH  
    t
    IS  
    VALID  
    ADDR  
    DQS  
    DQ  
    DM  
    Enter Self  
    Refresh Mode  
    Exit Self  
    Refresh Mode  
    * = Device must be in the all banks idle state before entering Self Refresh Mode.  
    ** = t is required before any non-read command can be applied, and t (200 cycles of CK).  
    Don’t Care  
    XSNR  
    XSRD  
    are required before a Read command can be applied.  

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