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IBM0612804GT3B-8N 参数 Datasheet PDF下载

IBM0612804GT3B-8N图片预览
型号: IBM0612804GT3B-8N
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内容描述: [DDR DRAM, 16MX8, 0.8ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 79 页 / 1362 K
品牌: IBM [ IBM ]
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VALID  
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NOP  
CKE  
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PRE  
NOP  
NOP  
AR  
NOP  
AR  
NOP  
ACT  
RA  
Command  
A0-A8  
RA  
A9, A11  
A10  
ALL BANKS  
ONE BANK  
RA  
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IH  
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IS  
BANK(S)  
BA  
BA0, BA1  
DQS  
DQ  
DM  
PRE = Precharge; ACT = Active; RA = Row address; BA = Bank address; AR = Autorefresh.  
NOP commands are shown for ease of illustration; other valid commands may be possible at these times.  
DM, DQ, and DQS signals are all don't care/high-Z for operations shown.  
Don’t Care  
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