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HY57V161610ET-7I 参数 Datasheet PDF下载

HY57V161610ET-7I图片预览
型号: HY57V161610ET-7I
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内容描述: 2 ,银行X 512K ×16位同步DRAM [2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 209 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V161610ET-I
直流特性II
( TA = -40 ° C至85°C ,V
DD
= 3.0V至3.6V ,V
SS
=0V
Note1,2
)
速度
参数
符号
测试条件
-5
突发长度= 1 ,一家银行主动
tRAS的
tRAS的(最小) ,激进党
tRP的(分钟) ,
IO=0mA
CKE
VIL ( max)和TCK = 15ns的
CKE
VIL ( max)和TCK =
CKE
VIH (MIN) , CS
VIH ( min)的TCK =
15ns
输入信号被改变一次
在2Clks 。所有其他引脚
VDD-0.2V
or
0.2V
CKE
VIH ( min)的TCK =
输入信号是稳定的。
CKE
VIL ( max)和TCK =分钟
CKE
VIL ( max)和TCK =
CKE
VIH (MIN) , CS
VIH ( min)的TCK =
输入信号被改变一次
在2Clks 。所有其他引脚
VDD-
0.2V或
0.2V
CKE
VIH ( min)的TCK =
输入信号是稳定的
CL=3
CL=2
CL=1
130
-
-
130
130
-
-
130
120
110
-
110
2
-55
-6
-7
-8
-10
-15
单位
工作电流
IDD1
130
130
120
110
110
110
100
mA
2
预充电待机
当前
在掉电模式
IDD2P
IDD2PS
2
mA
1
预充电待机
当前
在非掉电
模式
IDD2N
25
mA
IDD2NS
IDD3P
IDD3PS
15
3.0
mA
3.0
主动待机电流
在掉电模式
主动待机电流
在非掉电
模式
IDD3N
50
mA
IDD3NS
30
110
110
-
110
110
-
-
110
90
-
-
110
80
-
70
100
mA
mA
mA
3
突发模式工作
当前
IDD4
TCK
TCK (分钟)
tRAS的
tRAS的(分钟) ,
IO=0mA
所有银行都主动
自动刷新当前
自刷新电流
IDD5
IDD6
TRRC
TRRC (分钟) ,所有银行都主动
CKE
0.2V
注意:
1.V
DD
(分钟)为3.15V时, HY57V161610ET - 7I工作在CAS延时= 2, TCK2 = 8.9ns 。
2.V
DD
HY57V161610ET - 5I / 55I (分)为3.15V
3.I
DD1
DD4
取决于输出负载和循环率。规定值的测量与输出打开。
修订版0.1 / 2003年11月
6