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HY57V161610ET-7I 参数 Datasheet PDF下载

HY57V161610ET-7I图片预览
型号: HY57V161610ET-7I
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内容描述: 2 ,银行X 512K ×16位同步DRAM [2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 209 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V161610ET-I
功能框图
1Mx16同步DRAM
自刷新计数器
行地址。锁存器/预译码器
自动/自刷新
刷新
间隔定时器
刷新
计数器
行解码器
地址[ 0:10 ]
参考文献。地址[ 0:11 ]
512Kx16
BANK 0
感测放大器& I / O门
列解码器
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
CLK
行活动
BA(A11)
CS
RAS
CAS
WE
UDQM
LDQM
列活动
溢流
列地址。
锁存&计数器
突发长度
计数器
列解码器
感测放大器& I / O门
行地址。锁存器/预译码器
512Kx16
银行1
模式寄存器
测试模式
I / O控制
修订版0.1 / 2003年11月
数据输入/输出缓冲器
CKE
预充电
地址
注册
状态机
3