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HY57V161610ET-7I 参数 Datasheet PDF下载

HY57V161610ET-7I图片预览
型号: HY57V161610ET-7I
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内容描述: 2 ,银行X 512K ×16位同步DRAM [2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 209 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V161610ET-I
电容
( TA = 25°C , F = 1MHz的)
参数
CLK
输入电容
A0 〜 A10 , BA
CKE , CS , RAS , CAS,WE , UDQM , LDQM
DQ0 〜 DQ15
符号
C
I1
C
I2
C
I / O
2.5
2.5
4
最大
4
5
6.5
单位
pF
pF
pF
数据输入/输出电容
输出负载电路
Vtt=1.4V
RT=250
产量
30pF
产量
30pF
DC输出负载电路
AC输出负载电路
DC特性I
( TA = -40 ° C至85°C )
参数
电源电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
V
DD
IL
IO
V
OH
V
OL
符号
分钟。
3.0
-1
-1
2.4
-
最大
3.6
1
1
-
0.4
单位
V
uA
uA
V
V
1, 2
3
4
I
OH
= -4mA
I
OL
=+4mA
注意:
1.V
DD
(分钟)为3.15V时, HY57V161610ET - 7I工作在CAS延时= 2, TCK2 = 8.9ns 。
2.V
DD
HY57V161610ET - 5I / 55I (分)为3.15V
3.V
IN
= 0至3.6V ,所有其他引脚都没有被测= 0V
4.D
OUT
被禁用,V
OUT
= 0〜 3.6V
修订版0.1 / 2003年11月
5