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HY57V161610ET-7I 参数 Datasheet PDF下载

HY57V161610ET-7I图片预览
型号: HY57V161610ET-7I
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内容描述: 2 ,银行X 512K ×16位同步DRAM [2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 209 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V161610ET-I
引脚配置
V
DD
DQ0
DQ1
V
SSQ
DQ2
DQ3
V
DDQ
DQ4
DQ5
V
SSQ
DQ6
DQ7
VDDQ
LDQM
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
V
SS
DQ15
DQ14
VSSQ
DQ13
DQ12
50PIN TSOP II
400mil X 825mil
0.8毫米引脚间距
VDDQ
DQ11
DQ10
VSSQ
DQ9
DQ8
VDDQ
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
引脚说明
CLK
CKE
CS
BA
A0 ~ A10
时钟
时钟使能
芯片选择
银行地址
地址
行地址选通,
列地址选通,写
启用
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
引脚名称
描述
系统时钟输入。所有其它输入被引用到SDRAM上的上升
CLK的边缘。
控制内部时钟信号和去激活时, SDRAM的将是一个
国家间的断电,暂停或自刷新。
命令输入使能或面罩,除了CLK , CKE和DQM
在这两个RAS和CAS活动选择任一银行。
行地址: RA0 〜 RA10 ,列地址: CA0 〜 CA7
自动预充电标志: A10
RAS , CAS和WE定义操作。
请参阅功能真值表细节
在写模式读模式和掩码输入数据DQM控制输出缓冲器
复用的数据输入/输出引脚
电源为内部电路和输入缓冲器
电源为DQ
无连接
RAS , CAS , WE
LDQM , UDQM
DQ0 〜 DQ15
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
NC
修订版0.1 / 2003年11月
2