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    HY5DU281622ET-5 参数 Datasheet PDF下载

    HY5DU281622ET-5图片预览
    型号： HY5DU281622ET-5
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128M （ 8Mx16 ） GDDR SDRAM [128M(8Mx16) GDDR SDRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
    文件页数/大小： 34 页 / 379 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HY5DU281622ET-5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY5DU281622ET-5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY5DU281622ET-5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY5DU281622ET-5的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HY5DU281622ET-5的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HY5DU281622ET-5的Datasheet PDF文件第10页浏览型号HY5DU281622ET-5的Datasheet PDF文件第11页浏览型号HY5DU281622ET-5的Datasheet PDF文件第12页  
    HY5DU281622ET  
    WRITE MASK TRUTH TABLE  
    /CS, /RAS,  
    /CAS, /WE  
    A8/  
    AP  
    ADDR  
    Note  
    Function  
    Data Write  
    CKEn-1  
    CKEn  
    DM  
    BA  
    H
    H
    X
    X
    X
    X
    L
    X
    X
    1,2,3  
    1,2,3  
    Data-In Mask  
    H
    Note :  
    1. Write Mask command masks burst write data with reference to UDQS/LDQS and it is not related with read data.  
    2. LDM corresponds to the data on DQ0-Q7 and UDM corresponds to the data on DQ8-Q15  
    3. In here, Don’t Care means logical value only, it doesn’t mean ’Don’t care for DC level of each signals’. DC level should be out of  
    IHmin ~ VILmax  
    V
    Rev. 0.5 / Jan. 2005  
    8

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