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    HY5DU281622ET-5 参数 Datasheet PDF下载

    HY5DU281622ET-5图片预览
    型号： HY5DU281622ET-5
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128M （ 8Mx16 ） GDDR SDRAM [128M(8Mx16) GDDR SDRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
    文件页数/大小： 34 页 / 379 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HY5DU281622ET-5的Datasheet PDF文件第26页浏览型号HY5DU281622ET-5的Datasheet PDF文件第27页浏览型号HY5DU281622ET-5的Datasheet PDF文件第28页浏览型号HY5DU281622ET-5的Datasheet PDF文件第29页浏览型号HY5DU281622ET-5的Datasheet PDF文件第30页浏览型号HY5DU281622ET-5的Datasheet PDF文件第31页浏览型号HY5DU281622ET-5的Datasheet PDF文件第32页浏览型号HY5DU281622ET-5的Datasheet PDF文件第34页  
    HY5DU281622ET  
    CAPACITANCE (TA=25oC, f=1MHz )  
    Parameter  
    Pin  
    Symbol  
    Min  
    Max  
    Unit  
    Input Clock Capacitance  
    Input Capacitance  
    CK, /CK  
    CCK  
    CIN  
    CIO  
    2
    2
    4
    3
    3
    5
    pF  
    pF  
    pF  
    All other input-only pins  
    DQ, DQS, DM  
    Input / Output Capacitance  
    Note :  
    1. VDD = min. to max., VDDQ = 2.375V to 2.625V, VODC = VDDQ/2, VOpeak-to-peak = 0.2V  
    2. Pins not under test are tied to GND.  
    3. These values are guaranteed by design and are tested on a sample basis only.  
    OUTPUT LOAD CIRCUIT  
    VTT  
    RT=50Ω  
    Output  
    Zo=50Ω  
    VREF  
    CL=30pF  
    Rev. 0.5 / Jan. 2005  
    33  

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