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HY29F002TT-55 参数 Datasheet PDF下载

HY29F002TT-55图片预览
型号: HY29F002TT-55
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内容描述: 2兆位( 256K ×8 ) , 5伏只,闪存 [2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 38 页 / 381 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY29F002T  
AC CHARACTERISTICS  
Enter  
Automatic  
Erase  
Enter Erase  
Suspend  
Program  
Erase  
Suspend  
Erase  
Resume  
WE#  
Erase  
Erase  
Suspend  
Read  
Erase  
Suspend  
Program  
Erase  
Suspend  
Read  
Erase  
Erase  
Complete  
DQ[6]  
DQ[2]  
Notes:  
1. The system may use CE# or OE# to toggle DQ[2] and DQ[6]. DQ[2] toggles only when read at an address within an  
erase-suspended sector.  
Figure 19. DQ[2] and DQ[6] Operation  
Sector Protect and Unprotect, Temporary Sector Unprotect  
Parameter  
JEDEC Std  
Speed Option  
- 45 - 55 - 70 - 90  
50  
Description  
Unit  
tST  
Voltage Setup Time  
Min  
Min  
µs  
µs  
RESET# Setup Time for  
Temporary Sector Group Unprotect  
tRSP  
4
tCE Chip Enable to Output Delay  
tOE Output Enable to Output Delay  
Max 45  
Max 25  
55  
25  
70  
30  
90  
35  
ns  
ns  
Voltage Transition Time for  
tVIDR  
Min  
Min  
500  
ns  
µs  
Temporary Sector Group Unprotect (Note 1)  
Voltage Transition Time for  
tVLHT  
4
Sector Group Protect and Unprotect (Note 1)  
tWPP1 Write Pulse Width for Sector Group Protect  
tWPP2 Write Pulse Width for Sector Group Unprotect  
tOESP OE# Setup Time to WE# Active (Note 1)  
tCSP CE# Setup Time to WE# Active (Note 1)  
Min  
Min  
Min  
Min  
100  
100  
4
µs  
ms  
µs  
µs  
4
Notes:  
1. Not 100% tested.  
Rev. 4.1/May 01  
29  
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