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637LP5E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 637LP5E
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内容描述: 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的 [GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz]
分类和应用: 功率放大器
文件页数/大小: 8 页 / 620 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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HMC637LP5 / 637LP5E
v02.0709
砷化镓MESFET MMIC 1瓦
功放, DC - 6 GHz的
PCB评价
9
放大器 - 线性& POWER - SMT
9-8
材料的评价PCB 108347一览
J1 - J2
J3 - J4
C1, C2
C3 - C6
C7 - C9
U1
PCB
[2]
描述
SRI SMA连接器
2毫米莫仕头
100 pF的电容, 0402 PKG 。
1000 pF电容, 0603 PKG 。
4.7 μF电容,钽电容
HmC637lp5 / HmC637lp5e
109765 PCB评价
[1]
[1]订购完整的评估电路板时参考此号码
[ 2 ]电路板材质:罗杰斯4350
在应用程序中使用的电路板应
使用RF电路设计技术。信号线
应具有50欧姆的阻抗,而包
接地引线和封装底部应
直接连接到类似地平面
所示。通孔的足够数量应该
可用于连接的顶部和底部接地
面。该评估板应安装
到合适的散热器。估计电路
显示板可以从赫梯要求。
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
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应用支持:电话: 978-250-3343或apps@hittite.com