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637LP5E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 637LP5E
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内容描述: 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的 [GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz]
分类和应用: 功率放大器
文件页数/大小: 8 页 / 620 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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HMC637LP5 / 637LP5E
v02.0709
砷化镓MESFET MMIC 1瓦
功放, DC - 6 GHz的
增益与温度
18
16
获得&回波损耗
20
10
响应( dB)的
S21
S11
S22
14
12
增益(dB )
10
8
6
+25C
+85C
-40C
0
-10
-20
4
2
9
6
8
-30
0
2
4
频率(GHz )
6
8
0
0
2
4
频率(GHz )
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗(分贝)
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
频率(GHz )
6
8
+25C
+85C
-40C
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗(分贝)
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
频率(GHz )
6
8
+25C
+85C
-40C
反向隔离与温度的关系
0
-10
隔离度(dB )
-20
-30
-40
-50
-60
0
2
4
频率(GHz )
6
8
+25C
+85C
-40C
噪声系数与温度
12
+25C
+85C
-40C
10
噪声系数(dB )
8
6
4
2
0
2
4
频率(GHz )
6
8
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电话: 978-250-3343
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