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637LP5E 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	637LP5E
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内容描述：	砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放， DC - 6 GHz的 [GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz]
分类和应用：	功率放大器
文件页数/大小：	8 页 / 620 K
品牌：	HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]

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HMC637LP5 / 637LP5E

v02.0709

砷化镓MESFET MMIC 1瓦

功放， DC - 6 GHz的

引脚说明

引脚数

1, 3, 4, 6 - 12,

14, 17, 18, 19,

20, 22 - 28,

31, 32

功能

描述

无连接。这些引脚可以连接到射频

地面上。性能也不会受到影响。

接口示意图

N / C

2

Vgg2

门控2的放大器。的+ 5V ，应适用于

Vgg2的正常操作。附加旁路电容

每个应用电路这里。

9

放大器 - 线性& POWER - SMT

9-6

5

RFIN

此片是直流耦合

并匹配到50欧姆。

13

Vgg1

门控1的放大器。附加旁路电容

每个应用电路这里。请按照“ MMIC

放大器的偏置程序“应用笔记。

15

ACG4

低频终止。附加旁路电容

每个应用电路这里。

16

ACG3

RF输出，用于扩增fi er 。连接DC

偏压（ Vdd的）网络提供的漏极电流（IDD）。

见应用电路于此。

低频终止。附加旁路电容

每个应用电路这里。

21

RFOUT &的Vdd

29

30

地

桨

ACG2

ACG1

GND

接地焊盘必须被连接到射频/ DC接地。

对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824

电话： 978-250-3343

传真： 978-250-3373

为了在网上www.hittite.com

应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com

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