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637LP5E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 637LP5E
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内容描述: 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的 [GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz]
分类和应用: 功率放大器
文件页数/大小: 8 页 / 620 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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HMC637LP5 / 637LP5E
v02.0709
砷化镓MESFET MMIC 1瓦
功放, DC - 6 GHz的
PSAT与温度的关系
32
30
28
26
24
22
20
+25C
+85C
-40C
P1dB为与温度的关系
32
30
28
26
24
22
+25C
+85C
-40C
P1dB的( DBM)
9
放大器 - 线性& POWER - SMT
20
0
2
4
频率(GHz )
6
8
PSAT ( DBM)
0
2
4
频率(GHz )
6
8
输出IP3与温度的关系
60
55
50
IP3 ( dBm的)
45
40
35
30
25
20
0
2
4
频率(GHz )
6
8
+25C
+85C
-40C
增益,功率&输出IP3主场迎战
电源电压@ 3 GHz的固定VGG
增益(dB) ,的P1dB ( dBm的) ,PSA ( dBm的) , IP3 ( dBm的)
45
40
35
30
25
20
15
10
11.5
收益
P1dB
PSAT
IP3
12
Vdd的(V)的
12.5
获得&回波损耗与频率的关系,
对数刻度
20
输出IP3与温度的关系,
对数刻度
60
55
10
响应( dB)的
S21
S11
S22
50
IP3 ( dBm的)
45
40
35
30
25
+25C
+85C
-40C
0
-10
-20
-30
0.01
0.1
1
10
20
0.01
0.1
1
10
频率(GHz )
频率(GHz )
9-3
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电话: 978-250-3343
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