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216MS8E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 216MS8E
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内容描述: 砷化镓表面贴装双平衡混频器的FET , 1.3 - 2.5 GHz的 [GaAs MMIC SMT DOUBLE-BALANCED FET MIXER, 1.3 - 2.5 GHz]
分类和应用: 局域网
文件页数/大小: 6 页 / 176 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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HMC216MS8 / 216MS8E
v02.0705
MXN杂散输出
MRF
0
1
2
3
4
0
1
xx
14
45
83
>105
>105
>105
85
96
2.3
29
38
45
74
74
74
RF = 1.975 GHz的@ -10 dBm的
LO = 1.8 GHz的@ +7 dBm时, VGG = -1.2V
在dBc的所有值低于中频功率电平( -1RF + 1LO ) 。
2.5
32
65
LO = +7 dBm时, VGG = 1.2V
值以dBc以下输入LO电平的RF端口进行测量。
绝对最大额定值
RF / IF输入
LO驱动
储存温度
工作温度
+13 dBm的
+27 dBm的
-65至+150°C
-40至+85 ºC
静电敏感器件
观察处理注意事项
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持:电话: 978-250-3343或apps@hittite.com
10 - 4
混频器 - 单&双平衡 - SMT
D
E
U
IN
T
N
O
T
C
C
S
U
I
D
D
O
R
P
LO谐波
LO频率。
(千兆赫)
1.5
1.7
1
非线性光学
2
非线性光学马刺在RF端口
2
3
3
4
-1
0
14
24
21
40
41
47
61
28
46
50
38
45
67
59
55
59
1.9
2.1
34
31
62
砷化镓表面贴装双平衡
FET混频器, 1.3 - 2.5 GHz的
4
78
71
72
79
DED
MEN
COM
牛逼RE
No
77
s
IGN
DES
41
69
72
37
47
72
10