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216MS8E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 216MS8E
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内容描述: 砷化镓表面贴装双平衡混频器的FET , 1.3 - 2.5 GHz的 [GaAs MMIC SMT DOUBLE-BALANCED FET MIXER, 1.3 - 2.5 GHz]
分类和应用: 局域网
文件页数/大小: 6 页 / 176 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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HMC216MS8 / 216MS8E
v02.0705
输入IP3主场迎战LO驱动器和VGG
30
输入IP3 ( dBm的)
输入IP3 ( dBm的)
10
混频器 - 单&双平衡 - SMT
25
20
15
10
-1.6
-1.5
D
E
U
IN
T
N
O
T
C
C
S
U
I
D
D
O
R
P
输入IP3与温度
和VGG为@ LO = +7 dBm的
24
+5 dBm的
+7 dBm的
+9 dBm的
+11 dBm的
砷化镓表面贴装双平衡
FET混频器, 1.3 - 2.5 GHz的
22
20
-1.3
-1.2
栅极电压( V)
DED
MEN
COM
牛逼RE
No
16
-40 C
+25 C
+85 C
18
s
IGN
DES
-1.2
-1.1
-1.1
-0.9
-0.8
14
-1.6
-1.5
-1.3
-0.9
-0.8
栅极电压( V)
输入IP2与温度的关系
和VGG为@ LO = +7 dBm的
60
50
IP2 ( dBm的)
-40 C
+25 C
+85 C
40
30
20
-1.6
-1.5
-1.3
-1.2
-1.1
-0.9
-0.8
栅极电压( V)
10 - 3
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电话: 978-250-3343
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