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216MS8E 参数 Datasheet PDF下载

216MS8E图片预览
型号: 216MS8E
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内容描述: 砷化镓表面贴装双平衡混频器的FET , 1.3 - 2.5 GHz的 [GaAs MMIC SMT DOUBLE-BALANCED FET MIXER, 1.3 - 2.5 GHz]
分类和应用: 局域网
文件页数/大小: 6 页 / 176 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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HMC216MS8 / 216MS8E
v02.0705
转换损耗VS
温度@ LO = +7 dBm的
-4
-8
-12
-16
-40
-50
-60
-20
射频/中频
LO / IF
LO / RF
-24
1
1.5
2
2.5
3
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
频率(GHz )
转换损耗与LO驱动
0
回波损耗@ ​​LO = +7 dBm的
0
回波损耗(分贝)
-5
-5
-10
-10
+3 dBm的
+5 dBm的
+7 dBm的
+9 dBm的
+11 dBm的
-15
RF
IF
LO
-15
-20
-20
1
1.5
2
频率(GHz )
2.5
3
-25
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
中频带宽@ LO = +7 dBm的
0
P1dB为与温度的关系为
LO = +7 dBm时, VGG = -1.2伏
14
12
10
8
6
-40 C
+25 C
+85 C
转换损耗(dB )
-5
P1dB的( DBM)
-10
-15
-20
4
2
1.2
-25
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
IF频率(GHz )
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
频率(GHz )
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持:电话: 978-250-3343或apps@hittite.com
10 - 2
混频器 - 单&双平衡 - SMT
D
E
U
IN
T
N
O
T
C
C
S
U
I
D
D
O
R
P
隔离@ LO = +7 dBm的
0
-10
-20
-30
隔离度(dB )
-40 C
+25 C
+85 C
砷化镓表面贴装双平衡
FET混频器, 1.3 - 2.5 GHz的
转换损耗(dB )
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DES
10
转换损耗(dB )