HMC216MS8
/
216MS8E
v02.0705
典型应用
•基站
该HMC216MS8 / HMC216MS8E是理想的：
10
混频器 - 单&双平衡 - SMT
• WirelessLAN
- PCMCIA
•便携式无线
工作原理图
D
E
U
IN
T
N
O
T
C
C
S
U
I
D
D
O
R
P
特点
输入IP3 ： +25 dBm的@ +11 dBm的LO
LO范围从3到+11 dBm的
转换损耗： 8.5分贝
LO / RF隔离： 32分贝
砷化镓表面贴装双平衡
FET混频器， 1.3 - 2.5 GHz的
新
为
DED
描述
一般
MEN
COM
该HMC216MS8 & HMC216MS8E是超小型
牛逼RE
在8引脚塑料表面双平衡FET混频器
No
s
IGN
DES
贴装封装（ MSOP ） 。这MMIC混频器
砷化镓开关FET和新颖的平面构成
变压器平衡不平衡转换器芯片上。除了一个LO
驱动器的3到13 dBm时的栅极电压VGG = -0.9
至-1.6伏是必需的。该装置可被用作
上变频器和下变频器1900或2400
MHz的应用。一贯MMIC性能
将提高系统的运行，保证规定
合规性。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C，作为LO驱动器的功能， VGG = -1.2伏
LO = +11 dBm的
参数
分钟。
频率范围， RF & LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
IP3 （输入）
1分贝增益压缩（输入）
27
17
21
8
典型值。
1.3 - 2.5
DC - 0.65
9
9
30
20
25
11
10.5
10.5
27
17
14
5
马克斯。
分钟。
典型值。
1.6 - 2.3
DC - 0.5
8.5
8.5
32
20
18
10
10
10
27
17
8
3
马克斯。
分钟。
典型值。
1.7 - 2.0
DC - 0.4
9
9
32
20
12
8
10.5
10.5
马克斯。
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
LO = +7 dBm的
LO = +3 dBm的
单位
10 - 1
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