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    HAT1021R 参数 Datasheet PDF下载

    HAT1021R图片预览
    型号： HAT1021R
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    内容描述： 硅P沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 54 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HAT1021R的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HAT1021R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HAT1021R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HAT1021R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HAT1021R的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HAT1021R的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HAT1021R的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HAT1021R的Datasheet PDF文件第9页  
    HAT1021R  
    Reverse Drain Current vs.  
    Source to Drain Voltage  
    –50  
    –40  
    –30  
    –20  
    –10  
    Pulse Test  
    V
    = –5 V  
    GS  
    0, 5 V  
    0
    –0.4 –0.8 –1.2 –1.6  
    Source to Drain Voltage  
    –2.0  
    (V)  
    V
    SD  
    Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width  
    10  
    D = 1  
    0.5  
    1
    0.1  
    0.1  
    θ
    θ
    γ
    θ
    ch – f(t) = s (t) • ch – f  
    ch – f = 83.3 °C/W, Ta = 25 °C  
    0.01  
    When using the glass epoxy board  
    (FR4 40x40x1.6 mm)  
    PW  
    T
    P
    DM  
    D =  
    0.001  
    PW  
    T
    0.0001  
    10 µ  
    100 µ  
    1 m  
    10 m  
    100 m  
    1
    10  
    100  
    1000  
    10000  
    Pulse Width PW (S)  
    6

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