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2SK3157 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SK3157
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内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管脉冲电源开关局域网
文件页数/大小: 9 页 / 54 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SK3157  
Maximun Avalanche Energy vs.  
Channel Temperature Derating  
Reverse Drain Current vs.  
Source to Drain Voltage  
20  
16  
12  
8
50  
40  
30  
20  
Pulse Test  
I
= 20 A  
AP  
V
= 50 V  
DD  
duty < 0.1 %  
Rg > 50  
V
= 10 V  
GS  
5 V  
0, –5 V  
4
10  
0
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
SD  
1.0  
(V)  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Source to Drain Voltage  
V
Channel Temperature Tch (°C)  
Avalanche Test Circuit  
Avalanche Waveform  
V
DSS  
1
2
2
E
=
• L • I  
AP  
AR  
V
– V  
DD  
DSS  
L
V
DS  
Monitor  
I
AP  
V
(BR)DSS  
Monitor  
I
AP  
Rg  
V
V
DD  
D. U. T  
DS  
I
D
Vin  
15 V  
50Ω  
V
DD  
0
6