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2SK3157 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SK3157
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内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管脉冲电源开关局域网
文件页数/大小: 9 页 / 54 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SK3157  
Main Characteristics  
Power vs. Temperature Derating  
Maximum Safe Operation Area  
500  
40  
30  
20  
10  
200  
100  
50  
20  
10  
5
2
1
Operation in  
this area is  
limited by R  
0.5  
DS(on)  
0.2  
0.1  
Ta = 25°C  
0.05  
1000  
100 300  
0
10 30  
0.1  
1
3
50  
100  
150  
200  
0.3  
Drain to Source Voltage  
V
(V)  
DS  
Case Temperature Tc (°C)  
Typical Output Characteristics  
10 V  
20  
Typical Transfer Characteristics  
= 10 V  
20  
16  
12  
8
Pulse Test  
3 V  
5 V  
4 V  
V
DS  
Pulse Test  
16  
12  
8
75°C  
25°C  
V
GS  
= 2.5 V  
Tc = –25°C  
4
4
2 V  
8
0
0
1
2
3
4
GS  
5
2
4
6
10  
Gate to Source Voltage  
V
(V)  
Drain to Source Voltage  
V
(V)  
DS  
3