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    2SK2569 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2569图片预览
    型号： 2SK2569
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 43 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK2569的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK2569的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2569的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK2569的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK2569的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK2569的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK2569的Datasheet PDF文件第8页  
    2SK2569  
    Typical Capacitance vs.  
    Drain to Source Voltage  
    Switching Characteristics  
    t
    100  
    2
    1
    d(off)  
    30  
    10  
    Ciss  
    t
    f
    0.5  
    Coss  
    0.2  
    0.1  
    3
    1
    t
    r
    Crss  
    V
    V
    = 10 V  
    = 30 V  
    GS  
    DD  
    t
    d(on)  
    0.05  
    0.3  
    0.1  
    PW = 5 µs  
    duty < 1 %  
    V
    = 0  
    GS  
    f = 1 MHz  
    0.02  
    0
    10  
    20  
    30  
    40  
    50  
    1
    0.01 0.02 0.05 0.1 0.2  
    0.5  
    (A)  
    Drain to Source Voltage V  
    (V)  
    Drain Current  
    I
    DS  
    D
    Reverse Drain Current vs.  
    Source to Drain Voltage  
    0.20  
    0.16  
    0.12  
    0.08  
    0.04  
    –5 V  
    V
    = 0  
    GS  
    Pulse Test  
    0.2  
    0
    0.4  
    0.6  
    0.8  
    SD  
    1.0  
    (V)  
    Source to Drain Voltage  
    V
    5

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