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2SK2569 参数 Datasheet PDF下载

2SK2569图片预览
型号: 2SK2569
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 43 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SK2569  
Maximum Channel  
Dissipation Curve  
Maximum Safe Operation Area  
1 ms  
1
0.3  
200  
150  
100  
50  
0.1  
Operation in  
this area is  
limited by R  
0.03  
0.01  
DS(on)  
0.003  
0.001  
Ta = 25 °C  
0
0.1 0.3  
1
3
10  
30  
(V)  
100  
50  
100  
150  
200  
Drain to Source Voltage  
V
Ambient Temperature Ta (°C)  
DS  
Typical Output Characteristics  
10 V 4 V  
Typical Transfer Characteristics  
0.20  
0.16  
0.12  
0.08  
0.04  
0.20  
0.16  
0.12  
0.08  
0.04  
2.3 V  
2.5 V  
25°C  
Tc = 75°C  
–25°C  
2 V  
V
= 5 V  
DS  
Pulse Test  
2
V
= 1.5 V  
GS  
Pulse Test  
0
4
6
8
10  
0
1
2
3
4 5  
(V)  
GS  
Drain to Source Voltage  
V
(V)  
DS  
Gate to Source Voltage  
V
3