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    2SK3673-01MR 参数 Datasheet PDF下载

    2SK3673-01MR图片预览
    型号： 2SK3673-01MR
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    内容描述： N沟道硅功率MOSFET [N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 115 K
    品牌： FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
     浏览型号2SK3673-01MR的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK3673-01MR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3673-01MR的Datasheet PDF文件第3页  
    2SK3673-01MR  
    FUJI POWER MOSFET  
    Maximum Avalanche Current Pulsewidth  
    IAV=f(tAV):starting Tch=25°C,Vcc=70V  
    102  
    101  
    100  
    10-1  
    10-2  
    Single Pulse  
    10-8  
    10-7  
    10-6  
    10-5  
    10-4  
    10-3  
    10-2  
    tAV [sec]  
    Maximum Transient Thermal Impedance  
    Zth(ch-c)=f(t):D=0  
    101  
    100  
    10-1  
    10-2  
    10-3  
    10-6  
    10-5  
    10-4  
    10-3  
    10-2  
    10-1  
    100  
    t [sec]  
    http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/  
    4

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