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    AFT21S230SR3 参数 Datasheet PDF下载

    AFT21S230SR3图片预览
    型号： AFT21S230SR3
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    内容描述： RF功率LDMOS晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power LDMOS Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 15 页 / 559 K
    品牌： FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
     浏览型号AFT21S230SR3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AFT21S230SR3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AFT21S230SR3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AFT21S230SR3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AFT21S230SR3的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AFT21S230SR3的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AFT21S230SR3的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AFT21S230SR3的Datasheet PDF文件第10页  
    TYPICAL CHARACTERISTICS
    20
    19
    G
    ps
    , POWER GAIN (dB)
    18
    17
    16
    15
    14
    1
    10
    P
    out
    , OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
    100
    2110 MHz
    2140 MHz
    2170 MHz
    2140 MHz
    2110 MHz
    10
    0
    200
    V
    DD
    = 28 Vdc, I
    DQ
    = 1500 mA, Single--Carrier
    2110 MHz
    W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
    50
    2140 MHz
    Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%
    η
    D
    Probability on CCDF
    2170 MHz
    40
    G
    ps
    2170 MHz
    ACPR
    30
    20
    60
    0
    --10
    η
    D
    , DRAIN EFFICIENCY (%)
    --20
    --30
    --40
    --50
    --60
    ACPR (dBc)
    Figure 7. Single-
    -Carrier W-
    -CDMA Power Gain, Drain
    Efficiency and ACPR versus Output Power
    21
    19
    17
    GAIN (dB)
    15
    IRL
    13
    11
    9
    1800
    --10
    --20
    --30
    2600
    V
    DD
    = 28 Vdc
    P
    in
    = 0 dBm
    I
    DQ
    = 1500 mA
    Gain
    30
    20
    10
    0
    IRL (dB)
    1900
    2000
    2100
    2200
    2300
    2400
    2500
    f, FREQUENCY (MHz)
    Figure 8. Broadband Frequency Response
    AFT21S230SR3 AFT21S232SR3
    6
    RF Device Data
    Freescale Semiconductor, Inc.

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