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RFP50N06 参数 Datasheet PDF下载

RFP50N06图片预览
型号: RFP50N06
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内容描述: 50A , 60V , 0.022 Ohm的N通道功率MOSFET [50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power MOSFETs]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关PC局域网
文件页数/大小: 8 页 / 375 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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RFG50N06 , RFP50N06 , RF1S50N06SM
典型性能曲线
4000
V
DS
,漏源极电压( V)
V
GS
= 0V , F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
= C
DS
+ C
GD
C
国际空间站
2000
除非另有规定编
(续)
60
V
DD
= BV
DSS
45
V
DD
= BV
DSS
7.5
10
V
GS
,门源电压( V)
C,电容(pF )
3000
30
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
15
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
5.0
1000
C
OSS
C
RSS
0.25 BV
DSS
0.25 BV
DSS
R
L
= 1.2Ω
I
G( REF )
= 1.45毫安
V
GS
= 10V
20
I
G( REF )
I
G( ACT )
T,时间(μs )
80
I
G( REF )
I
G( ACT )
2.5
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
,漏源极电压( V)
0
0
注:请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图12.电容VS漏源极电压
图13.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01Ω
0
t
AV
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
t
ON
V
DS
V
DS
V
GS
R
L
+
t
关闭
t
D(关闭)
t
r
t
f
90%
t
D(上)
90%
DUT
R
GS
V
GS
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图16.开关时间测试电路
图17.开关波形
©2002仙童半导体公司
RFG50N06 , RFP50N06 , RF1S50N06SM版本B