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    RFP50N06 参数 Datasheet PDF下载

    RFP50N06图片预览
    型号： RFP50N06
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 50A ， 60V ， 0.022 Ohm的N通道功率MOSFET [50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power MOSFETs]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关PC局域网
    文件页数/大小： 8 页 / 375 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号RFP50N06的Datasheet PDF文件第1页浏览型号RFP50N06的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RFP50N06的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RFP50N06的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RFP50N06的Datasheet PDF文件第6页浏览型号RFP50N06的Datasheet PDF文件第7页浏览型号RFP50N06的Datasheet PDF文件第8页  
    RFG50N06 ， RFP50N06 ， RF1S50N06SM
    典型性能曲线
    1.2
    功耗乘法器
    1.0
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    T
    C
    ，外壳温度（
    o
    C)
    150
    175
    除非另有规定编
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    T
    C
    ，外壳温度（
    o
    C)
    图1.归功耗与案例
    温度
    图2.最大连续漏极电流VS
    外壳温度
    2
    1
    热阻抗
    0.5
    0.2
    0.1
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    单脉冲
    0.01
    -5
    10
    10
    -4
    10
    -3
    10
    -2
    10
    -1
    t
    1
    ，矩形脉冲持续时间（ S）
    t
    2
    注意事项：
    DUTY因子：D = T
    1
    /t
    2
    PEAK牛逼
    J
    = P
    DM
    X Z
    θJC
    个R
    θJC
    + T
    C
    10
    0
    10
    1
    t
    1
    P
    DM
    Z
    θJC
    归一化
    图3.归一化最大瞬态热阻抗
    400
    T
    J
    =最大额定
    单脉冲
    T
    C
    = 25
    o
    C
    I
    DM
    峰值电流（ A）
    10
    3
    当温度高于25
    o
    C
    减额峰值电流
    能力的方法如下：
    V
    GS
    = 20V
    175
    –
    T C
    I = I 25
    -----------------------
    -
    150
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    100
    100µs
    1ms
    10
    操作在此
    区域可以
    限于由R
    DS （ ON）
    V
    决策支持系统（MAX）
    = 60V
    1
    1
    10
    V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    10ms
    100ms
    DC
    100
    V
    GS
    = 10V
    10
    2
    跨
    可能限流
    在这个区域
    40
    10
    -3
    10
    -2
    10
    -1
    10
    0
    10
    1
    10
    2
    T，脉冲宽度（毫秒）
    10
    3
    10
    4
    T
    C
    = 25
    o
    C
    图4.正向偏置安全工作区
    图5.峰值电流容量
    ©2002仙童半导体公司
    RFG50N06 ， RFP50N06 ， RF1S50N06SM版本B

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