RFG50N06 ， RFP50N06 ， RF1S50N06SM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFG50N06 ， RFP50N06
RF1S50N06SM
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20k
Ω
） （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
连续漏电流（图2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
60
60
±
20
50
（图5）
（图6）
131
0.877
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250
µ
A，V
GS
= 0V （图11）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
µ
A（图10 ）
V
DS
= 60V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±
20V
I
D
= 50A ，V
GS
= 10V （图9 ）
V
DD
= 30V ，我
D
= 50A
R
L
= 0.6
Ω
, V
GS
= 10V
R
GS
= 3.6
Ω
（图13）
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
民
60
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0到20V
V
GS
= 0至10V
V
GS
= 0〜 2V
V
DD
= 48V ，我
D
= 50A,
R
L
= 0.96
Ω
I
G（ REF ）
= 1.45毫安
（图13）
-
-
-
-
-
-
（图3）
TO-247
的TO-220 ，TO- 263
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
12
55
37
13
-
125
67
3.7
2020
600
200
-
-
-
最大
-
4
1
50
±
100
0.022
95
-
-
-
-
75
150
80
4.5
-
-
-
1.14
30
62
单位
V
V
µ
A
µ
A
nA
Ω
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
门源阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
R
θ
JA
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
（图12）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 50A
I
SD
= 50A ，二
SD
/ DT = 100A /
µ
s
测试条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
125
单位
V
ns
©2002仙童半导体公司
RFG50N06 ， RFP50N06 ， RF1S50N06SM版本B
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
