RFG50N06 , RFP50N06 , RF1S50N06SM
数据表
2002年1月
50A , 60V , 0.022 Ohm的N通道功率
MOSFET的
这些N沟道功率MOSFET采用制造
在MegaFET过程。这个过程中,它使用特征
尺寸接近LSI的集成电路提供
硅的最佳利用,造成优秀
性能。它们被设计为在应用程序中使用
如开关稳压器,开关转换器,电机
驱动器和继电器驱动器。这些晶体管可以被操作
直接从集成电路。
以前发育类型TA49018 。
特点
• 50A , 60V
• r
DS ( ON)
= 0.022
Ω
•温度补偿PSPICE
®
模型
•峰值电流与脉冲宽度曲线
• UIS额定值曲线
• 175
o
C的工作温度
符号
D
订购信息
产品型号
RFG50N06
RFP50N06
RF1S50N06SM
包
TO-247
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
RFG50N06
RFP50N06
F1S50N06
S
G
注:订货时,使用整个零件编号。添加SUF网络连接X, 9A ,
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴,即RF1S50N06SM9A 。
包装
JEDEC风格-247
来源
漏
门
漏
(底部
侧的金属)
漏
(法兰)
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
JEDEC TO- 263AB
门
来源
漏
(法兰)
©2002仙童半导体公司
RFG50N06 , RFP50N06 , RF1S50N06SM版本B