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NDS9407 参数 Datasheet PDF下载

NDS9407图片预览
型号: NDS9407
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内容描述: 单P沟道增强型场效应晶体管 [Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 10 页 / 326 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性
(续)
S
1.125
BV
D
归一化
S
漏源击穿电压
-I
S
,反向漏电流( A)
1.1
1.075
1.05
1.025
1
0.975
0.95
0.925
0.9
-50
-25
0
25
50
75
100
T,结温( ° C)
J
125
150
I
D
= -250µA
10
5
V
GS
= 0V
1
0.5
TJ = 125°C
25°C
0.1
-55°C
0.01
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-VSD ,体二极管正向电压( V)
1.4
图7.击穿电压变化与
温度。
图8.体二极管正向电压的变化
与电流和温度
2500
1500
1000
电容(pF)
-V
,栅源电压(V )
GS
ç国际空间站
10
I
8
DS
= -3A
V
DS
= -10V
-40V
-20V
6
500
ç OSS
200
F = 1 MHz的
100
V
GS
= 0V
4
ç RSS
2
50
0.1
0.2
-V
0.5
DS
1
2
5
10
,漏源极电压( V)
20
50
0
0
10
20
Q克,栅极电荷( NC)
30
40
图9.电容特性。
图10.栅极电荷特性。
-V
D D
t
D(上)
V
IN
D
t
on
R
L
V
OUT
V
O u那样牛逼
10%
t
关闭
t
r
90%
t
D(关闭)
90%
t
f
V
的s
R
10%
90%
G
DUT
S
V
IN
10%
50%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路
图12.开关波形
NDS9407.SAM版本B