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NDS9407 参数 Datasheet PDF下载

NDS9407图片预览
型号: NDS9407
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内容描述: 单P沟道增强型场效应晶体管 [Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 10 页 / 326 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型的电气和热特性
(续)
2.5
1a
V DS = - 1 0 V
12
10
8
6
4
2
0
T J = -55°C
25°C
稳态功率耗散( W)
,跨导( SIEMENS )
S
14
2
125°C
1.5
1b
1c
1
4.5"x5"的FR-4板
T
A
= 2 5
o
C
静止的空气中
F
0.5
g
0
-4
-8
-12
I D ,漏电流( A)
-16
-20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
2盎司覆铜安装垫面积( 2 )
1
图13.跨导变化与漏
电流和温度
图14. SO- 8最大稳态电源
功耗与铜安装垫
区。
-I D,稳定状态下的漏电流(A)
4
20
10
3
-I D,漏电流( A)
1a
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
IT
LIM
N)
S(O
RD
10
10
0
1m
us
s
ms
s
10
1b
0m
2
1c
1s
= -10V
GS
单脉冲
R
θ
JA = S E E N}÷ T E 1℃
TA = 2 5℃
0.2
0.5
1
5
10
20
- V DS ,漏源极电压(V )
6 0 100
V
1
10
s
DC
4.5"x5"的FR-4板
T
A
= 25
o
C
静止的空气中
V
GS
= - 1 0 V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
2盎司覆铜安装垫面积( 2 )
1
图15.最大稳态漏电流
与铜安装焊盘面积。
图16.最大安全工作区
1
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P( PK)
t
1
t
2
RJ-A ( T) = R(T ) * R JA
θ
θ
RJ-A =见注1℃
θ
TJ - T的= P * R
(t)
A
θ
JA
占空比D = T
1
/ t
2
10
100
300
t
1
,
时间(秒)
图17.瞬态热响应曲线。
注意:
热特性进行使用笔记1c中描述的条件。将瞬态热响应
改变取决于电路板的设计。
NDS9407.SAM版本B