1999年6月
NDS9407
单P沟道增强型场效应晶体管
概述
这些P沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的,高电池产生
密度, DMOS技术。这非常高密度的过程
特别是针对减少通态电阻,
出色的开关性能,并能承受高能量
脉冲雪崩和换向模式。这些
器件特别适用于低电压应用
诸如笔记本电脑的电源管理和其它
电池供电的电路中快速切换,低线
需要的功率损耗,以及抗瞬变。
特点
-3.0A , -60V 。 ř
DS ( ON)
= 0.15
Ω
@ V
GS
=-10V
R
DS ( ON)
= 0.24
Ω
@ V
GS
=-4.5V.
高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流处理能力的一种广泛使用的
表面贴装封装。
_______________________________________________________________________________________
5
6
7
8
4
3
2
1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
(注1A )
(注1B )
(注1C )
(注1A )
NDS9407
-60
± 20
± 3.0
± 2.4
± 12
2.5
1.2
1
-55到150
单位
V
V
A
- 连续
- 脉冲
P
D
最大功率耗散
W
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
J·C
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
50
25
° C / W
° C / W
©1999仙童半导体公司
NDS9407.SAM版本B